SJT 11089-1996 半导体分立器件文字符号
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ID： |
5F53BF533F434B3B984688080970488D |
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文件大小(MB)： |
1.9 |
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页数： |
40 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-28 |
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UDC 621. 382. 003. 6,L 40,中华人民共和国家标准,GB 11499—89,降为 SJ/T 11089-96,半导体分立器件文字符号,Letter symbols for discrete semiconductor devices,1989-03-3I 发布,家技术监:督局,1990-04F1 实施,发布,目次,1,2,3,4,5,6,7,9,10,主题内容与适用范围(1),总则 . : (1),整流二极管. (7),信号二极管(包括开关二极管)和调整二极管(10),射频二极管…ハ.. .. . . (13),光电子器件…. (19),闸流管. (23),双极型晶体管. (27),场效应晶体管. (32),其它半导体器件 . (36),中华人民共和国国家标准,半导体分立器件文字符号GB 11499-89,Leter symbols for discrete semiconductor devices,本标准参照采用了下列国际标准:,IEC 148（1979）半导体器件和微型集成电路文字符号,1EC 747,IEC 747-1(1983),半导体器件,第1部分,分立器件和集成电路,总则,IEC 747-2(1983) 第2部分整流二极管,IEC 747-3(19：,IEC 747-5(19；,IEC 747-6(19；,IEC 747-8(19；,3),4),3),4),第3部分,第5部分,第6部分,第8部分,信号二极管（包括开关二极管）和调整二极管,IEC 747-11(1985) 第11部分,光电子器件,闸流晶体管,场效应晶体管,半导体分立器件分规范,的有关文字符号的内容,并补充了国内所需的有关文字符号,1 主题内容与适用范見,本标准规定了半导体分立器件主要的文字符号。本标准适用于编写半导体分立器件有关标准和有,关技术资料,2总则,2.1 电流、电压和电功率的文字符号,2.1.I 基本字母,推荐的基本字母有:,7. i一电流,U.u,V.v,电压,ー电功率,注」EC27号标准只把字母U和我推荐为电压的备用符号,而在半导体器件领域中ア和"被广泛使用,因此在本标准,中ダ和?与U和か是等效的,2.1.1.2大写字母的使用,大写基本字母用来表示:,a.,b.,最大（峰）值,平均值,c.,d.,着1丒1. 3,直流值,方均根值,小写字母的使用,小写基本字母用来表示随时间变化的瞬态值,中华人民共和国机械电子工业部1989丒03丒18批准1990-04-01 实施,1,GB 11499-89,2.1.2下标,2.1.2.I 推荐的常用下标,AV,av-平均,F,f一正向,M,m—最大（峰）值,MIN minー最小值,〇,〇ー开路,R,r一反向,作第二个下标时表示重复,Sベー短路,作第二个下标时表示浪涌或不重复,（BR）ー击穿,（OV）ー过载,totー总的,2.1.2. 2大写和小写下标的选择,在2. 1. 2.1条中同时列出了大写和小写字母的地方,采用大写字母还是小写字母,应符合2. 1. 2.,2丒1和2.1. 2. 2, 2条的要求。如果采用的下标多于ー个,则应全用大写字母或全用小写字母,2.1.2. 2.!大写字母的使用,大写字母用来表示:,a.无信号时的直流值,例如:厶,b.总的瞬态值,例如:曲,c.总的平均值,例如: ZflAV,d.总的最大（峰）值,例如:/,2.1.2. 2.2小写下标的使用,小写下标仅用来表示变化的分量值。即:,a.交变分?的瞬态值,例如ス,b. 交变分量的方均根值,例如メ,C.交变分量的最大（峰）值,例如:し,d.交变分量的平均值,例如：&V,2.1.2. 3关于下标的补充规定,2J, 2.3.1电流的下标,如果需要指明电流流过的引出端,则用第一个下标来表示,例如:ム,M,あ,ム,2.1.2. 3.2电压的下标,如果需要指明被测电压的两个端点,则可用前两个下标表示。第一个下标表示器件的ー个端点、第,二个下标表示参考点或电路的节点,例如ルbe ,如E,むbe ,Ube,唳区，%E，％，匕?,2,GB 11499-89,若不会发生混淆,则第二个下标可以省略,2.1.2. 3.3电源电压和电源电流的下标,电源电压和电源电流可用重复相应引出端的下标来表示,例如山8或0cC*EE,注,如果需要指明参考引出端,则要使用第三个下标.,例如:UcCE或PCCE,2.1.2. 3.4具有多个同种引出端的器件的下标,如果器件的同种引出端多于ー个,则下标用相应引出端的文字符号并在其后面跟着ー个数字来表,示,在多个下标的情况下,需加上连字符号,以免误解,例如:ム2一流经第二基极引出端的直流电流,ソー第二基极引出端与发射极引出端之间的直流电压,PB2-E 丿,2.1.2. 3.5复合器件的下标,对于复合单元器件的下标,改用ー个数字再加上一个下标字母来表示,在有多个下标的情况下,需,加上连字符号,以免误解,例如:/2C一流经第二单元集电极引出端的直流电流,U1C-2C,y ic-2c,第一单元和第二单元集电极引出端之间的直流电压,2.1.3基 本符号表,下表是对2. 1和2.1. 2条各项规则的应用说明,基本符号表,基 本 字 母,小 写大 写,小,下交变分量的瞬态值,总的瞬态值,无特殊记号或下标者:,交变分量的方均根值,有特殊记号或下标者:,写交变分量的最大（峰）值,标交变分量的平均值,符,大,号,写,无特殊记号或下标者:,无信号时的直流值,有特殊记号或下标者:,总的最大（峰）值,总平均值,2.1.4规 则应用示例,图1表示的是由直流和交变分量组成的晶体……
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